Weldiwr Pibell Amlder Uchel Cyflwr Solet SiC-MOSFET

Wrth i'r dechnoleg wella, yn ddiweddar mae weldiwr amledd uchel cyflwr solet yn mabwysiadu deunydd lled-ddargludyddion trydydd cenhedlaeth o'r enw SiC-MOSFET.

Y Drydedd Genhedlaeth Deunyddiau Lled-ddargludyddion Nodweddion Perfformiad SiC-MOSFET

1. Tymheredd uchel a gwrthiant pwysedd uchel: Mae gan SiC fwlch band eang tua 3 gwaith yn fwy na Si, felly gall wireddu dyfeisiau pŵer a all weithredu'n sefydlog hyd yn oed o dan amodau tymheredd uchel. Mae cryfder maes dadelfennu inswleiddio SiC 10 gwaith yn fwy na Si, felly mae'n bosibl gwneud dyfeisiau pŵer foltedd uchel gyda chrynodiad dopio uwch a haen drifft trwch ffilm deneuach o'i gymharu â dyfeisiau Si.

2. Miniaturization dyfais ac ysgafn: Mae gan ddyfeisiau carbid silicon ddargludedd thermol uwch a dwysedd pŵer, a all symleiddio'r system afradu gwres, er mwyn cyflawni miniaturization dyfais ac ysgafn.

3. Colled isel ac amledd uchel: Gall amlder gweithio dyfeisiau carbid silicon gyrraedd 10 gwaith yn fwy na dyfeisiau sy'n seiliedig ar silicon, ac nid yw'r effeithlonrwydd yn gostwng gyda'r cynnydd mewn amlder gweithio, a all leihau'r golled ynni bron i 50%; Ar yr un pryd, oherwydd y cynnydd mewn amlder, mae cyfaint y cydrannau ymylol megis anwythiad a thrawsnewidwyr yn cael ei leihau, ac mae cost cyfaint a chydrannau eraill ar ôl cyfansoddiad y system yn cael eu lleihau.

Manteision weldiwr pibell amledd uchel cyflwr solet SiC-MOSFET

Colled 1.60% yn is na dyfeisiau Si-MOSFET, mae effeithlonrwydd gwrthdröydd weldiwr yn cynyddu mwy na 10%, mae effeithlonrwydd weldio yn cynyddu mwy na 5%.

Mae dwysedd pŵer 2.Single SiC-MOSFET yn fawr, mae'r maint ymgynnull yn cael ei leihau yn unol â hynny, sy'n lleihau pwyntiau bai ac ymbelydredd electromagnetig allanol yn uniongyrchol, ac yn gwella dibynadwyedd yr uned bŵer gwrthdröydd.

3.SiC-MOSFET wrthsefyll foltedd uwch na gwreiddiol Si-MOSFET, weldiwr foltedd gradd DC wedi cynyddu yn unol â hynny o dan y rhagosodiad o sicrhau diogelwch (280VDC ar gyfer weldiwr soniarus cyfochrog a 500VDC ar gyfer cyfres weldiwr soniarus). Ffactor pŵer ochr y grid ≥ 0.94 .

4. Dim ond 40% o Si-MOSFET yw colled dyfais SiC-MOSFET, o dan rai amodau oeri, gall amlder newid fod yn uwch, mae weldiwr Si-MOSFET soniarus cyfres yn mabwysiadu technoleg dyblu amlder, yn mabwysiadu SiC-MOSFET all ddylunio a gweithgynhyrchu'n uniongyrchol hyd at weldiwr amledd uchel 600KHz.

5. Mae foltedd DC weldiwr SiC-MOSFET newydd yn cynyddu, ffactor pŵer ochr grid yn uchel, cerrynt AC bach, cerrynt harmonig bach, mae cost cyflenwad pŵer a dosbarthiad cwsmeriaid yn cael ei leihau'n fawr, ac mae effeithlonrwydd cyflenwad pŵer yn cael ei wella'n effeithiol.